Pho.rs: Полупроводниковые пластины

A1 ^?? Получите значения $I_{AB}$, $U_{CD}$, $I_{DA}$ и $U_{BC}$ для 15 различных подключений к пластине.

A2 ^0.90 Вычислите $R_{\text{AB,CD}}$, $R_{\text{BC,DA}}$ и $y$ для каждого из подключений. Значения всех величин округлите с точностью до 4 значащих цифр.

1 По 0.01 за 3 и 4 значащие цифры каждого числа

90 × 0.01

A3 ^0.10 Формулу $\cfrac{y-1}{y+1}=\cfrac{1}{x} \text{arch}\left(\cfrac{\text{e}^x}{2}\right)$ можно преобразовать к виду $\text{e}^x=\text{e}^{\alpha x} + \text{e}^{\beta x}$.

Найдите $\alpha$ и $\beta$. Ответ выразите через $y$.

1 Верные $\alpha$ и $\beta$

0.10

A4 ^3.00 Уравнение $\text{e}^x=\text{e}^{\alpha x} + \text{e}^{\beta x}$ трансцендентное, и не может быть решено аналитически. Решите его численно, т.е. для каждого $y$ найдите $\text{e}^x$ (с точностью до 4 значащих цифр).

1 По 0.1 за 3 и 4 значащие цифры каждого значения $e^x$

15 × 0.20

A5 ^2.00 Построив график в подходящих координатах, определите численное значение $\rho$ полупроводника. Ответ округлите до 3 значащих цифр. Толщину материала примите равной $d=1~\text{мм}$.

1 Пересчёт точек	30 × 0.02
2 Построен график	0.40
3 Ответ $\rho\in(2300\pm 5)~Ом$	1.00
4 $\rho\in(2300\pm 10)~Ом$	0.50

B1 ^?? Снимите зависимость $n(T)$.

B2 ^1.60 Постройте график зависимость $\ln n~(\frac{1}{T})$. Аппроксимируйте три участка данного графика прямыми линиями и определите значения $T_i$ и $T_s$.Оцените погрешность полученных величин.

1 Пересчёт точек	0.30
2 Построение графика	0.30
3 Температура $T_S$ определяется графически или с помощью МНК	0.40
4 Ответ $T_i=\in(128\pm5)~К$, $T_S=(780\pm40)~К$	2 × 0.20
5 Найдены погрешности температур	2 × 0.10

B3 ^1.20 Найдите $E_d$.

1 Пересчёт точек	0.30
2 Построение графика	0.30
3 Ответ $E_d\in(1.18\pm0.02)\cdot10^{-21}~Дж$	0.60

B4 ^1.20 Найдите $\Delta{E_g}$.

1 Пересчёт точек	0.30
2 Построение графика	0.30
3 Ответ $\Delta E_g\in(8.23\pm0.11)\cdot10^{-22}~Дж$	0.60

Полупроводниковые пластины

Разбалловка