Logo
Logo

İndüksiyonla Pişirmenin Fiziği

A. GİRİŞ

Şekil 1. Bir indüksiyon ocağı

Bu problem, oldukça ilginç bir mutfak fiziğini sunmaktadır: bir indüksiyon ocağı. Böyle bir cihaz esas olarak, üzerine yerleştirilen bir metal tavayı ısıtan alternatif akım ile çalışan bir bobinden oluşur. Bu sistem, daha güvenli bir pişirme ortamı (alev veya yanıcı gaz içermez), daha temiz mutfak gereçleri (is oluşmaz), daha hızlı pişirme ve daha çevre dostu bir seçenek (yenilenebilir elektrikle çalışabilir) gibi çeşitli avantajlar sunan modern bir pişirme alternatifidir. Bu deneyde, bir indüksiyon ocağının temel ve büyüleyici fiziğini keşfedeceğiz.

Deney üç bölümden oluşmaktadır. İlk olarak, bobinin endüktansı ($L$) ve iç direnci ($R_L$) ölçülecektir. İkinci olarak, indüksiyonla pişirme için önemli olan metallerdeki derinlik etkisi (skin depth) fenomeni incelenecektir. Üçüncü olarak ise, farklı metal tavaların özgül ısı kapasiteleri ($c$) ve etkili yük dirençleri ($R_{\mathrm{LOAD}}$) belirlenecektir.

Şekil 2. Deneysel kurulum. Bileşenler aşağıdaki listede açıklanmıştır.

B. DENEYSEL BİLEŞENLER

  1. Sinyal jeneratörü (FG) (çalışma frekansı: $20 \, \mathrm{Hz}$ - $100 \, \mathrm{kHz}$).
  2. Dijital osiloskop "Zoyi" + BNC kablo probu (1 adet).
  3. Plastik tabana monte edilmiş özdeş bobin (2 adet).
  4. Kronometre (1 adet).
  5. Banana - banana jack kabloları, iki çift (4 adet).
  6. Banana jack - pin kabloları, iki çift (4 adet).
  7. Siyah kutuya monte edilmiş sarı metal direnç $"R_1" (1\, \Omega, 100 \, \mathrm{Watt})$ (1 adet).
  8. Dört dişi banana jack soketi bulunan siyah kutu (1 adet).
  9. Kapasitörler $470 \, \mathrm{nF}$: (kahverengi), $470 \, \mu\mathrm{F}, 1000 \, \mu\mathrm{F}, 2200 \, \mu\mathrm{F} $ : (koyu mavi silindirler) (her birinden 1 adet)
  10. M3 Allen (L) anahtarı (1 adet).
  11. NTC (negatif sıcaklık katsayısı) termistör takılı Alüminyum "tava", boyut = 2 cm × 2 cm, kalınlık = 0,73 mm (1 adet). Her iki yüzey görünümü: gümüşümsü/gümüşümsü.
  12. NTC termistör takılı Paslanmaz çelik SS410 "tava", boyut = 2 cm × 2 cm, kalınlık = 0,76 mm (1 adet). Her iki yüzey görünümü: ayna benzeri/ayna benzeri.
  13. Alüminyum plakalar, boyut = 2,7 cm × 4,6 cm, kalınlık = 0,73 mm, bağıl manyetik geçirgenlik $\mu_r =1$ , (5 adet). Her iki yüzey görünümü: gümüşümsü/gümüşümsü.
  14. Bakır plakalar, boyut = 2,7 cm × 4,6 cm, kalınlık = 0,71 mm, bağıl manyetik geçirgenlik $\mu_r =1$ (5 adet). Her iki yüzey görünümü: turuncu-kırmızı/turuncu-kırmızı.
  15. Paslanmaz çelik "SS304" plakalar, boyut = 2,7 cm × 4,6 cm, kalınlık = 0,72 mm, bağıl manyetik geçirgenlik $\mu_r =1$ (4 adet). Bir yüzey ayna/ bir yüzey mat görünümlüdür.
  16. Paslanmaz çelik "SS410" plakalar, boyut = 2,7 cm × 4,6 cm, kalınlık = 0,76 mm, bağıl manyetik geçirgenlik $\mu_r =700$ (4 adet). Yüzey görünümü: ayna benzeri/ayna benzeri.
  17. Dijital el tipi osiloskop için şarj cihazı ve USB-C kablosu (1 adet).

Şekil 3. İndüksiyon ocağı kurulumu, (1): bobin pin terminalleri, (2): kelepçeler, (3): bobin#1, (4): bobin#2.

Parametreler ve Sabitler

Parametre/SabitSembolDeğer
Stefan-Boltzmann$\sigma_s$$5.670\times10^{-8}\:{\rm W\:m^{-2}K^{-4}}$
Vakumda manyetik geçirgenlik$\mu_0$$4\pi\times10^{-7}\: {\rm H/m}$
Al kütle yoğunluğu$\rho_{\textrm{Al}}$$2700 \, \mathrm{kg/m^3}$
SS410 kütle yoğunluğu$\rho_{\textrm{SS410}}$$7700 \, \mathrm{kg/m^3}$
Al emisivitesi$e_{\textrm{Al}}$0.65
SS410 emisivitesi$e_{\textrm{SS410}}$0.8

NOT:

  1. Lütfen D bölümünü okuyun: "Ekipman Kullanım Prosedürleri".
  2. Tüm deneylerde RLC seri devre konfigürasyonu oluşturmak için kapasitör $C$'ye ihtiyacımız var, çünkü kapasitör olmadan (yani sadece RL konfigürasyonunda) bobin çok ısınabilir.
  3. Tüm deneylerde hata analizi gerekli değildir.
  4. Tüm deneyler için, lütfen Sinyal Jeneratörü'nün "Dalga Formu" seçimini "Sinüs" fonksiyonuna ayarlayın.
  5. Bobine giden akımı maksimum yaklaşık 2 A-tepe ile sınırlayın.
  6. Dijital osiloskop için "osiloskop" modu voltaj, frekans ölçmek ve dalga formlarını görüntülemek için kullanılır. "Multimetre" modu direnç ölçmek için kullanılır.
  7. Çeşitli "banana" terminallerine bağlantıyı kolaylaştırmak için osiloskop probunu (madde #2) banana-banana kablosuna (#5) bağlayabilirsiniz.

C. DENEY

C.1 Deney#1: İndüksiyon bobininin karakterizasyonu (4,5 puan)

İndüksiyon ocağındaki ilk anahtar bileşen bobindir. Bu deneyde Şekil 3b'de gösterilen bobin#1'in (üst bobin) öz endüktansını ($L$) ölçeceğiz. Bu bobin, ideal bir endüktör $L$ ve seri bağlı bir iç bobin direnci $R_L$ olarak modellenebilir.

Sarı metal direnç $R_1$, bobin#1 ve bir kapasitörden oluşan bir seri RLC devresi kullanacağız. Dört farklı kapasitör bulunmaktadır. Lütfen dikkat ediniz, Sinyal Jeneratörü (FG) çıkış voltajı, yük empedansı değişebileceği için frekansı değiştirdikçe değişebilir.

1.1 Devrenizi çizin ve tüm ilgili kısımları etiketleyin. Devredeki toplam dirence ($R_{\mathrm{TOT}}$) katkıda bulunan tüm kablolardan gelen direnç ($R_C$) ihmal edilemez. Ohmmetreyi kullanarak $R_C$'yi belirleyin.

1.2 RLC devresinin rezonans frekansını iki farklı kapasitör ile belirleyin: $C=470 \, \mathrm{nF}$ ve $2200 \, \mu\mathrm{F}$. Deneysel verilerinizi bir tabloya kaydedin. Uygun rezonans eğrisini çizin ve $L$'yi belirleyin.

1.3 Ayrıca bobin direnci $R_L$'yi belirlemek istiyoruz. Bir kapasitörün rezonans verisinin $L$'yi doğru şekilde belirlemek için yetersiz olduğunu fark edebilirsiniz. Bu nedenle, seri RLC deneyinden hem $L$ hem de $R_L$'yi çıkarabileceğiniz alternatif bir doğrusal denklem modeli geliştirin.

1.4 Diğer iki kapasitör için deneyi gerçekleştirin: $C=470 \, \mu\mathrm{F}$ ve $1000 \, \mu\mathrm{F}$. Verilerinizi kaydedin. Yeni modelinizi kullanarak dört RLC verisinin tümünü analiz edin. Uygun frekans aralığına odaklanın ve uygun grafikleri çizin.

1.5 Dört kapasitörle yapılan tüm deneyler için $R_L$ ve $L$'yi belirleyin. Ortalamalarını hesaplayın.

C.2 Deney#2: Karşılıklı Endüksiyon ve Deri Derinliği (Skin Depth)(8,1 puan)

NOT:

  1. Bu deney#2'de lütfen bobini çalıştırmak için $C=1000\,\mu\textrm{F}$ ile seri RLC devresi kullanın.
  2. Voltaj sinyali dijital osiloskop için çok düşükse, şunları yapabilirsiniz: (1) MENU > F4'e basarak "PROBE" seçeneğini 1x ve 10x arasında değiştirerek sinyali 10x güçlendirebilirsiniz. (2) Ekranı dondurmak için "HOLD/SAVE" tuşuna basabilirsiniz.
  3. Dijital osiloskop ile voltaj ölçerken, gürültü veya "ani yükselmeler" varsa "VMAX" okuması doğru olmayabilir. Lütfen sinyal genliğini doğrudan dalga formundan okuyun.

A. Karşılıklı indüktans

Bu deney#2'de Şekil 4'te gösterildiği gibi iki bobini kullanacağız, ancak herhangi bir metal plaka olmadan. İlk olarak, her iki bobin arasındaki karşılıklı endüktans $M$'yi ölçeceğiz. Faraday yasasını takiben, ilk bobindeki akım değişimi ikinci bobinde bir voltaj indükleyecektir.

2.1 İki bobin arasındaki karşılıklı indüktansı belirlemek için deneysel kurulumunuzu çizin.

2.2 Bobinlerin rollerini tersine çevirerek karşılıklı indüktans $M$ ölçümünü iki kez yapmanız gerekiyor. Ölçümleri yapın, verileri kaydedin ve her konfigürasyon için uygun grafikleri çizin.

2.3 Her konfigürasyon için karşılıklı indüktans $M$'yi belirleyin.

B. Deri derinliği deneyi

Şekil 4: Deri derinliği deneyi, (1): bobin pin terminalleri, (2): bobin#1, (3): metal plakalar, (4): bobin#2.

"Deri-derinliği" kavramı indüksiyon ocağında önemli bir rol oynar. "Deri-derinliği", alternatif akım (AC) indüklenen elektromanyetik alanın metale nüfuz etme derinliğini karakterize eder. Bu deneyde, pişirme tavası olarak kullanılabilecek çeşitli metallerin deri derinliğini araştıracağız. Frekansa bağımlılığını araştıracak ve metallerin elektriksel iletkenliğini ($\sigma$) ölçeceğiz.

Bobin#1'i birincil bobin ve bobin#2'yi ikincil bobin olarak ayarlıyoruz. Toplam metal kalınlığı ($\sim 3 \, \mathrm{mm}$) bobin-bobin mesafesine ($15 \, \mathrm{mm}$) kıyasla küçük olduğundan, ikincil bobine yakın, alttaki manyetik alanın yaklaşık olarak sabit olduğunu varsayabiliriz (metal yoksa).

Maxwell denklemlerini takiben, salınımlı bir elektrik veya manyetik alan bir iletkene nüfuz ettiğinde, iletken içindeki alan nüfuz mesafesi $z$ ile üstel olarak azalır:

$$B(z)= B_0\: e^{-z/\delta}\:\cos (\omega t - z/\delta + \phi)$$

Burada $B_0$, iletken içine girmeden önceki manyetik alan genliği, $\delta$ "deri derinliği" ve $\phi$ fazdır. Not: Bu deneyde faz faktörünü ($(-z/\delta+\phi)$) göz ardı ediyoruz.

Bir iletkendeki deri derinliği şu şekilde verilir:

$$\delta = \sqrt{\frac{\sigma^m f^n}{\pi \mu}}$$

Burada $\sigma$ elektriksel iletkenlik, $f$ frekans, $\mu = \mu_r \times \mu_0$ manyetik geçirgenlik, $m$ ve $n$ bu deneyde belirlenecek olan ve tamsayı olan güç faktörleridir.

Dört metal üzerinde deneyler yapacağız: (1) Alüminyum, (2) Bakır, (3) Paslanmaz çelik "SS304" ve (4) Paslanmaz çelik "SS410". Metalleri bobinlerin arasına yerleştirerek, metal içindeki eddy akımlarının manyetik alan "koruması" nedeniyle ikincil bobindeki voltaj düşecektir.

Not: İlk olarak, ikincil bobin voltajında önemli değişiklikler meydana getiren uygun frekans aralığını keşfedin.

2.4

Her metal için $n$'yi belirlemek için denklemlerle bir model geliştirin ve deneyi gerçekleştirin (en yakın tam sayıya yuvarlanmış). Verilerinizi kaydedin, $n$ ve $\sigma$'yı elde etmek için son grafikleri her bir metal için çizin. Grafiklerinizi çizmek için gerekli veri noktaları elde etmekte lineer regresyon kullanabilirsiniz. (S2.6'da sorulacaktır).


Aşırı deri derinliği değeri nedeniyle iyi veri vermeyen bir metali tanımlayın, böylece S2.5 ve S2.6 için bunu göz ardı edebilirsiniz.


2.5 Boyutsal analiz kullanarak, önceki sonuçtan iletkenlik güç faktörü $m$'yi çıkarın.

2.6 S2.4'te iyi veri veren üç metal için $\sigma$'yı belirleyin.

C.3 Deney #3, "Pişirme": Özgül ısı kapasitesi ve etkili yük direnci (7,4 puan)

NOTLAR:

  1. Bu deneyde #3 bobini çalıştırmak için $C=1000\,\mu\textrm{F}$'lık seri RLC devresi kullanın.
  2. UYARI: Aşırı ısınmayı önlemek için lütfen bobine giden maksimum akımı yaklaşık 2 A-tepe (2 A-peak) ile sınırlayın.
  3. "İndüksiyonlu ocağı" çalıştırmak için lütfen yaklaşık $f=40\,\textrm{kHz}$frekansını kullanın.

Şekil 5. İndüksiyon ocağı deney düzeneği, (1): bobin#1, (2): metal plakalar, (3): bobin #2, (4): NTC

Bu deneyde Alüminyum ve SS410 metalini "pişirme tavası" olarak kullanacağız. Önce Alüminyum "tavayı" (parça #11) monte edeceksiniz, üst platforma kelepçeleyeceksiniz ve sonra Şekil 5'te gösterildiği gibi ters çevireceksiniz. "Tavadan" iyice ayrılmış olan bobin #2'yi kullanacaksınız, böylece aralarında iletim yoluyla (conduction) ısı transferi olmayacak.

Düzeneği kara kutunun (parça #8) içine koyun ki konveksiyon kayıpları ihmal edilebilsin. Metal "tava" plastik platform (ısıca yalıtkan) olduğundan, ısı iletiminden (conduction) kaynaklı kayıpları da ihmal edebiliriz. Dolayısıyla, ısı kaybı sadece radyasyondan kaynaklanacaktır. $T$ sıcaklığındaki bir cismin yaydığı radyasyon güçü şu şekilde verilir:

$$P_{RAD}=e A \sigma_S T^4$$

burada $e$ yayınım katsayısı (emissivity), $\sigma_S$ Stefan-Boltzmann sabiti ve A radyasyon yayan yüzey alanıdır.

Metal "tava"nın sıcaklığını, NTC termistörünün (bağlı) direncini ölçerek ölçerebiliriz. NTC termistörünün direnci şu şekilde verilir:

$$R_{NTC}=R_0\:\exp{[B(1/T-1/T_0)]}$$

burada $R_0 = 10 \, \mathrm{k}\Omega$ referans sıcaklığını $T_0 = 298 \, \mathrm{K}$ikenki direncidir, $B = 3950 \, \mathrm{K}$ bir sabittir ve $T$ termistörün sıcaklığıdır (K cinsinden).

3.1 İndüksiyon ocağının nasıl çalıştığını göstermek için bir şema çizin. İlgili tüm fiziksel büyüklükleri etiketleyin.

3.2

Metal tavaların özgül ısısını (c) belirlemek için denklemlerle beraber fiziksel bir model geliştirin.


3.3 Alüminyum tavanın özgül ısısını belirlemek için bir deney yapın ve uygun grafikleri çizin. Tavayı ısıtmak için bobin#2'yi kullanın.

3.4 Q3.3'ü SS410 "tava"sı için tekrarlayın.

Şekil 6. İndüksiyon ocağı için eşdeğer model

Son olarak, metal "tavanın" ısınmasını, Şekil 6'da gösterildiği gibi devreye bir "yük direnci (load resistance)" $R_{\mathrm{LOAD}}$ getiriyormuş gibi modelleyebiliriz. Başka bir deyişle, bobin ve metal tava sistemi, bobin indüktansı $L$, bobin direnci $R_L$ ve "yük direnci" $R_{\mathrm{LOAD}}$ olarak modellenebilir.

3.5 Al "tava" için, $R_{\mathrm{LOAD}}$'ı belirlemek için bir model geliştirin ve deney yapın. Uygun verileri çizin. Öneri: Bobinin sabit güç sağladığından ve ısının daha düzgün dağıldığından emin olmak için yaklaşık 30 saniye güç uyguladıktan sonra ölçümleri gerçekleştirin.

3.6 Q3.5'i SS410 "tava"sı için tekrarlayın.

3.7 Hangisi pişirme tavası olarak daha iyi çalışır? Birini seçin: (a) Alüminyum veya (b) SS410.

3.8 Yukarıdaki seçiminizde indüksiyon ısıtma etkisinde en baskın rolü oynayan fiziksel parametre nedir? Birini seçin: (a) Elektriksel iletkenlik, (b) Manyetik geçirgenlik, (c) Kütle yoğunluğu, (d) Özgül ısı veya (e) Isıl iletkenlik.

3.9 İndüksiyon pişirme verimliliği (

EKİPMAN KULLANIM PROSEDÜRLERİ

SİNYAL JENERATÖRÜ KUTUSU

Şekil 7. Sinyal jeneratörü kutusu

Bileşenler:

  1. Güç LED göstergesi
  2. Genlik düğmesi: çıkış sinyalinin genliğini ayarlamak için
  3. Frekans aralığı düğmesi: frekans aralığını seçmek için
  4. Kaba ve ince düğmeler: frekansı aralık içinde ayarlamak için
  5. Dalga formu düğmesi: "sinüs", "üçgen" veya "kare" dalga formunu seçmek için. Bu deneylerde: her zaman "sinüs" fonksiyonunu seçin
  6. Yükseltme öncesi BNC çıkışı: burada kullanılmaz. Yükselticiden önce orijinal sinyali izlemek için kullanılır
  7. Muz jak terminalli çıkış
  8. Güç soketi
  9. Güç düğmesi: açmak veya kapatmak için
  10. Sigorta kutusu

Şekil 8. Dijital osiloskop

D.2 DİJİTAL OSİLOSKOP

PANEL TUŞU FONKSİYONLARI Bu tuşlar ayarlar arasında gezinmenizi, modları seçmenizi ve ölçümleri ayarlamanızı sağlar.

  1. F1-F4 tuşları
    Bu tuşlar ekranın altında görüntülenen fonksiyon menüsüne karşılık gelir
  2. HOLD/SAVE tuşu
  3. Osiloskop modunda:
    - Kısa basış: Dalga formu ekranını dondurur veya devam ettirir.
    - Uzun basış: Görüntülenen dalga formu verisini kaydeder.
  4. Multimetre modunda:
    - Kısa basış: Ölçüm okumasını dondurur veya devam ettirir.
  5. MODE tuşu
    "Osiloskop" modu veya "Multimetre" modu arasında geçiş yapmak için.
  6. POWER tuşu
    Üniteyi açmak veya kapatmak için  2 saniye basın
  7. AUTO-RANGE tuşu
    Aralığı otomatik olarak ayarlamak için
  8. MENU tuşu

  9. - Genişletilmiş sistem mod menüsünü ayarlamak için
    - Genişletilmiş menü seçenekleri arasında gezinmek için sol/sağ yön tuşlarını kullanın.
    - İlgili sistem fonksiyonlarını özelleştirmek için F1-F4 Tuşlarını kullanın.
  10. YÖN (Up (yukarı), Down (aşağı), Left (sol) ve Right (sağ)) tuşları
    Ayarları (örn. voltaj, zaman ölçeği) ayarlamak, imleç konumunu hareket ettirmek ve menüler arasında gezinmek için.

2. OSİLOSKOP ÖLÇÜM MODU

Osiloskop modunda, cihaz sadece voltajı ölçer ve dalga formunu zamanın bir fonksiyonu olarak görüntüler. Bu mod, $1 \, \mathrm{MHz}$'e kadar çok yüksek frekanslı voltaj sinyallerini ölçebilir.

  1. (Input) Giriş: BNC kablo probunu (parça#2) kullanın ve üstteki BNC terminaline bağlayın. Saat yönünde çevirerek kilitlendiğinden emin olunuz.
  2. (Probe Attenuation Setting) Prob Zayıflama Ayarı: Prob, sinyal ölçümünü etkileyen bir zayıflama anahtarı (attenuation switch) içerir. X1 veya X10 olarak ayarlanabilir.
  3. ÖNEMLİ: Probun zayıflama ayarının her zaman X1 olduğundan emin olun. Gerekirse, osiloskop yazılım ayarını yapabilirsiniz: Genişletilmiş menüyü açmak için MENU'ye basın ve "PROBE" seçeneğini X1 ve X10 arasında değiştirmek için F4'e basın.
  4. Osiloskop Ayarları

  5. - (Auto Range) Otomatik Aralık. Dikey ve yatay ölçekleri otomatik olarak ayarlamak için.
    - Dikey/Yatay Ölçek ve Konum Dikey/Yatay Ölçek Ayarı: VOL/TIME menüsünü seçmek için F1'e basın. Voltaj ölçeğini ayarlamak için Yukarı/Aşağı yön tuşlarını kullanın. Zaman ölçeğini ayarlamak için sol/sağ yön tuşlarını kullanın.
    - Dikey/Yatay Konum Ayarı: MOVE menüsünü seçmek için F2'ye basın. Dalga formunu dikey olarak hareket ettirmek için yukarı/aşağı yön tuşlarını kullanın. Dalga formunu yatay olarak hareket ettirmek için Sol/Sağ yön tuşlarını kullanın. Tetikleme imleci (trigger cursor) dalga formu ile birlikte hareket edecektir.
    - Tetikleme Sistemi Tetikleme İmleci Ayarı: TRIG menüsünü seçmek için F3'e basın. Tetikleme (trigger) konumunu ayarlamak için yukarı ve aşağı yön tuşlarına basın. Tetikleme Modu (Trigger Mode): Açılır menüyü genişletmek için MENU'ye basın, tetikleme moduna F2'ye basın. Otomatik (Auto), Normal ve Tek (Single) arasında seçim yapabilirsiniz. Tetikleme Kenarı (Trigger Edge): Açılır menüyü genişletmek için MENU'ye basın. Tetikleme kenar modunu (Trigger Edge Mode) seçmek için F3'e basın. Yükselen kenar ve düşen kenar (rising and falling edge) tetiklemesi arasında seçim yapabilirsiniz.
    - Bağlantı Ayarı. AC bağlantı ve DC bağlantı arasında geçiş yapmak için F4'e basın. Bu deney için yalnızca AC bağlantısını kullanın.
    - Ek ipuçları: Voltaj sinyalini okurken genliği sinyal dalga formundan veya "VPP" (tepe-tepe voltajı (peak-to-peak voltage)) veya maksimum voltaj veya genlik için "Vmax" okumasından elde edebilirsiniz. UYARI: Zaman zaman gürültü (noise) veya ani voltaj yükselmeleri varsa, "Vmax" okuması gerçek voltaj genliğinden daha yüksek olabilir. Lütfen doğrulayın veya daha güvenilir sonuç için osiloskop dalga formu okumasını kullanın.

3. MULTİMETRE ÖLÇÜM MODU: Multimetre modunda, cihaz voltaj ve direnç gibi elektriksel parametreleri ölçmek için kullanılır. AC voltmetre modunda 4 anlamlı rakama kadar sayısal okumalar verir, ancak frekans sadece 40Hz ile 1kHz arasında sınırlıdır.

  1. Giriş (input): Ön paneldeki banana giriş terminaline banana jack ile kabloları bağlayın
  2. Voltaj ölçümü:

  3. - Voltaj ölçmek için F1'e basın
    - AC ve DC voltaj aralıkları arasında geçiş yapmak için F1'e tekrar basın (bu deneyde yalnızca AC voltaj modunu kullanıyoruz).
    - UYARI: Multimetre modunda AC voltaj ölçümleri için, frekans aralığı yalnızca 40 Hz ile 1kHz aralığında sınırlıdır. 1kHz'den büyük frekanslı AC voltajı ölçmek istiyorsanız lütfen "Osiloskop" modunu kullanın.
  4. Direnç ölçümü
  5. Direnç ölçmek için F2'ye basın. F2'ye tekrar basarsanız, aşağıdaki modlar arasında geçiş yapacaktır: direnç, süreklilik, diyot ve kapasitans (resistance, continuity, diode, and capacitance). "resistance" ("direnç") modunu seçtiğinizden emin olun

4. EK FONKSİYONLAR

  1. Automatik shutdown ("Auto Off") (Otomatik kapanma)

  2. - Genişletilmiş sistem menüsünü açmak için MENU tuşuna basın.
    - Otomatik kapanma süresi ayarını seçmek için F2'ye basın.
    - Cihaz boştayken pil gücünü korumak için 15 dakikaya ayarlanması önerilir.
  3. Backlight Brigthness ("BK Light") (Arka Işık Parlaklığı)

  4. - Genişletilmiş sistem menüsünü açmak için MENU tuşuna basın
    - Arka ışık parlaklık (backlight brightness) ayarını ayarlamak için F3'e basın

5. DİJİTAL OSİLOSKOPU ŞARJ ETME
Cihazın her zaman kullanıma hazır olmasını sağlamak için pil seviyelerini takip edin.

  1. Pil göstergesi ekranın sağ üst köşesinde görüntülenir
  2. El tipi osiloskopu sağlanan type-C USB kablosu ve adaptörü kullanarak şarj edin
  3. İstenmeyen gürültüye (noise) neden olabileceğinden, el tipi osiloskopu şarj edilirken kullanmanız önerilmez
  4. Pil seviyesini korumak için, multimetreyi kullanılmadığında şarj etmenizi ve ayrıca otomatik kapanma özelliğini kullanmanızı öneririz.